maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / DVRN6056-7-F
Référence fabricant | DVRN6056-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-DVRN6056-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DVRN6056-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN + Zener Diode (Isolated) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 1V |
Puissance - Max | 300mW |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-26 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DVRN6056-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DVRN6056-7-F-FT |
BCX5416TA
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FCX591ATA
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2DB1132R-13
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2DD1664R-13
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DXT2907A-13
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XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
5SGSED6K2F40I3LN
Intel
5SGSED6K2F40I3N
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5SGXEB6R2F40C2LN
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LCMXO2-2000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
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EPF10K50SQC208-2X
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