maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DURF1030CTR
Référence fabricant | DURF1030CTR |
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Numéro de pièce future | FT-DURF1030CTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DUR |
DURF1030CTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 45ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 300V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DURF1030CTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DURF1030CTR-FT |
BAV70QAZ
Nexperia USA Inc.
BAW56QAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG2020CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG2020CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG3020CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3020CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CPA,115
Nexperia USA Inc.
BAS21PGX
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel