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Référence fabricant | DUR2030CT |
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Numéro de pièce future | FT-DUR2030CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DUR |
DUR2030CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 45ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 300V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DUR2030CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DUR2030CT-FT |
CPT500100
Microsemi Corporation
CPT40145
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CPT40090
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CPT400100D
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CPT400100A
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CPT400100
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CPT30090
Microsemi Corporation
CPT30060
Microsemi Corporation
CPT30050
Microsemi Corporation
CPT30045
Microsemi Corporation
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
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A42MX16-1PQG100M
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