maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTDG14GPT100
Référence fabricant | DTDG14GPT100 |
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Numéro de pièce future | FT-DTDG14GPT100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTDG14GPT100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Résistance - Base (R1) | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 80MHz |
Puissance - Max | 2W |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Package d'appareils du fournisseur | MPT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTDG14GPT100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTDG14GPT100-FT |
DTA043EMT2L
Rohm Semiconductor
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