maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTC123JET1G
Référence fabricant | DTC123JET1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DTC123JET1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTC123JET1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-75, SOT-416 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-75 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123JET1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTC123JET1G-FT |
FJX4009RTF
ON Semiconductor
FJX4010RTF
ON Semiconductor
FJX4011RTF
ON Semiconductor
FJX4012RTF
ON Semiconductor
FJX4013RTF
ON Semiconductor
FJX4014RTF
ON Semiconductor
DTA114TXV3T1G
ON Semiconductor
MUN5113T1G
ON Semiconductor
MUN5230T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5132T1G
ON Semiconductor
LCMXO640E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
10CX085YF672I5G
Intel