maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTC115TM3T5G
Référence fabricant | DTC115TM3T5G |
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Numéro de pièce future | FT-DTC115TM3T5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTC115TM3T5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 260mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-723 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC115TM3T5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTC115TM3T5G-FT |
PDTC144TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144VT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD113ZTVL
Nexperia USA Inc.
PDTD114ETR
Nexperia USA Inc.
PDTD114ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTD143ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTD143XTVL
Nexperia USA Inc.
FJNS3201RBU
ON Semiconductor
FJNS3202RBU
ON Semiconductor