maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTC115EMT2L
Référence fabricant | DTC115EMT2L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DTC115EMT2L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTC115EMT2L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 20mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 100 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VMT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC115EMT2L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTC115EMT2L-FT |
RN1110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage