maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTC023EMT2L
Référence fabricant | DTC023EMT2L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DTC023EMT2L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTC023EMT2L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VMT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC023EMT2L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTC023EMT2L-FT |
RN1103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN030V5-ZQNG68
Microsemi Corporation
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484C8G
Intel
LFEC10E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel