maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTB123EKFRAT146
Référence fabricant | DTB123EKFRAT146 |
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Numéro de pièce future | FT-DTB123EKFRAT146 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DTB123EKFRAT146 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased + Diode |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SMT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB123EKFRAT146 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTB123EKFRAT146-FT |
DTC114EU3T106
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XC6SLX150-3FG676C
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XC3S2000-5FGG900C
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Xilinx Inc.
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EP4CE22E22C9L
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LCMXO2-7000ZE-3FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9E6F31C7N
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EP1SGX25DF1020C7N
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