maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTA123TM3T5G
Référence fabricant | DTA123TM3T5G |
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Numéro de pièce future | FT-DTA123TM3T5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTA123TM3T5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 260mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-723 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA123TM3T5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTA123TM3T5G-FT |
PDTC114ET,235
Nexperia USA Inc.
PDTC114TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114TT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC114YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114YTVL
Nexperia USA Inc.
PDTC115ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC115TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTC123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123TT,235
Nexperia USA Inc.
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A10V10B-PL68C
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-2X
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XC4VLX80-11FFG1148C
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XC2VP7-5FFG672I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-6FN672C
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LFE3-95EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U15C6N
Intel