maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTA123JKAT146
Référence fabricant | DTA123JKAT146 |
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Numéro de pièce future | FT-DTA123JKAT146 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTA123JKAT146 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SMT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA123JKAT146 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTA123JKAT146-FT |
DTA123EU3HZGT106
Rohm Semiconductor
DTA123JU3HZGT106
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DTA123JU3T106
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DTA143EU3T106
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XC7A50T-2FTG256C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-2
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5SGXMA7N2F40C2N
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EP4SE360H29C4N
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LCMXO2-7000HE-4BG256C
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LFE3-150EA-6FN672CTW
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