maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTA115TM3T5G
Référence fabricant | DTA115TM3T5G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DTA115TM3T5G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTA115TM3T5G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 260mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-723 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA115TM3T5G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTA115TM3T5G-FT |
PDTC114ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114ET,235
Nexperia USA Inc.
PDTC114TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114TT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC114YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114YTVL
Nexperia USA Inc.
PDTC115ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC115TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTC123TT,215
Nexperia USA Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
P1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40C3
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
XC7VX690T-3FFG1930E
Xilinx Inc.
A54SX32A-BG329M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4
Intel