maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTA114ECA-TP
Référence fabricant | DTA114ECA-TP |
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Numéro de pièce future | FT-DTA114ECA-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTA114ECA-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA114ECA-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTA114ECA-TP-FT |
PDTC143XS,126
NXP USA Inc.
PDTC143ZS,126
NXP USA Inc.
PDTC144ES,126
NXP USA Inc.
PDTC144TS,126
NXP USA Inc.
PDTC144VS,126
NXP USA Inc.
PDTC144WS,126
NXP USA Inc.
PDTD113ES,126
NXP USA Inc.
PDTD113ZS,126
NXP USA Inc.
PDTD123ES,126
NXP USA Inc.
PDTD123TS,126
NXP USA Inc.
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
5SGXEB6R2F43C2N
Intel
XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel