maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DSTF30120CR
Référence fabricant | DSTF30120CR |
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Numéro de pièce future | FT-DSTF30120CR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DSTF30120CR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 970mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 800µA @ 120V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSTF30120CR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSTF30120CR-FT |
PMEG2020CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG2020CPASX
Nexperia USA Inc.
PMEG3020CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3020CPASX
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PMEG6010CPA,115
Nexperia USA Inc.
BAS21PGX
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S8-4148/TR13
Microsemi Corporation
S8-4148/TR7
Microsemi Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
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EP1S25B672C7N
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EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation