maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / DST8100S-A
Référence fabricant | DST8100S-A |
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Numéro de pièce future | FT-DST8100S-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DST8100S-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 680mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 70µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 542pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277B |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DST8100S-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DST8100S-A-FT |
PMEG6010CEGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG4005EGWX
Nexperia USA Inc.
BAS116GWX
Nexperia USA Inc.
PMEG2005EGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CEGWX
Nexperia USA Inc.
BAS116GWJ
Nexperia USA Inc.
BAS16GWX
Nexperia USA Inc.
BAS21GWJ
Nexperia USA Inc.
BAS21GWX
Nexperia USA Inc.
BAT46GWX
Nexperia USA Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel