maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / DSS8110Y-7
Référence fabricant | DSS8110Y-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DSS8110Y-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DSS8110Y-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 10V |
Puissance - Max | 625mW |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS8110Y-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSS8110Y-7-FT |
MMSTA06Q-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA56Q-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT491TA
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MMST3904-7-F
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LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
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LFE5UM-85F-7BG554I
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5SGSED8K3F40C2LN
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EP3SE80F1152I3
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EPF10K200SBC356-1X
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