maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / DSS5160FDB-7
Référence fabricant | DSS5160FDB-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DSS5160FDB-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DSS5160FDB-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 405mW |
Fréquence - Transition | 65MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type B) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS5160FDB-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSS5160FDB-7-FT |
ZXTD09N50DE6TC
Diodes Incorporated
ZXTD6717E6TC
Diodes Incorporated
BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV62BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
A1010B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3FG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C9LN
Intel
EP4SGX230KF40I4
Intel
EP4SGX360KF43I4N
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5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SE80F1152C2N
Intel
LCMXO2-640ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation