maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / DSS5160FDB-7
Référence fabricant | DSS5160FDB-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DSS5160FDB-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DSS5160FDB-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 405mW |
Fréquence - Transition | 65MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type B) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS5160FDB-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSS5160FDB-7-FT |
ZXTD09N50DE6TC
Diodes Incorporated
ZXTD6717E6TC
Diodes Incorporated
BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV62BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
XC4006E-3TQ144I
Xilinx Inc.
XCV200E-8FG256C
Xilinx Inc.
XCS30XL-5CS280C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C1N
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC4020XL-3BG256C
Xilinx Inc.
AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3
Intel