maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / DSS4160FDB-7
Référence fabricant | DSS4160FDB-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DSS4160FDB-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DSS4160FDB-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 405mW |
Fréquence - Transition | 175MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type B) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS4160FDB-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSS4160FDB-7-FT |
BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV62BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
DST847BPDP6-7
Diodes Incorporated
DST857BDJ-7
Diodes Incorporated
M2GL025-VFG400I
Microsemi Corporation
M2GL025TS-1VF400I
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LVQ100I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5N2F40C2LN
Intel
5SGSMD6K2F40I2LN
Intel
EP3SL340F1517C4LN
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5SGXEABK1H40C2L
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5AGXMA5G4F35C4N
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EP1C20F324C7N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
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