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Référence fabricant | DSR6U600D1-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DSR6U600D1-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DIODESTAR™ |
DSR6U600D1-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.6V @ 6A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 45ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252-3 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSR6U600D1-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSR6U600D1-13-FT |
6A8-T
Diodes Incorporated
10A04-T
Diodes Incorporated
10A01-T
Diodes Incorporated
PR6005-T
Diodes Incorporated
10A05-T
Diodes Incorporated
PR6002-T
Diodes Incorporated
PR6004-T
Diodes Incorporated
10A06-T
Diodes Incorporated
PR6001-T
Diodes Incorporated
PR6003-T
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel