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Référence fabricant | DSK10C-BT |
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Numéro de pièce future | FT-DSK10C-BT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DSK10C-BT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | R-1 (Axial) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSK10C-BT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSK10C-BT-FT |
NRVB1H100SFT3G
ON Semiconductor
NTS260ESFT3G
ON Semiconductor
NTS260SFT3G
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MBR120LSFT1G
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NRVHP120SFT3G
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A1010B-2VQG80C
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XC7K410T-2FBG676C
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LFE2-20E-6Q208C
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
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EP20K200EQC208-1
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