maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DSEI2X61-06P
Référence fabricant | DSEI2X61-06P |
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Numéro de pièce future | FT-DSEI2X61-06P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED |
DSEI2X61-06P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 60A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ECO-PAC1 |
Package d'appareils du fournisseur | ECO-PAC1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSEI2X61-06P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSEI2X61-06P-FT |
MDD95-16N1B
IXYS
MDD26-16N1B
IXYS
MEK95-06DA
IXYS
MDD26-08N1B
IXYS
MDD26-12N1B
IXYS
MDD26-14N1B
IXYS
MDD26-18N1B
IXYS
MDD44-08N1B
IXYS
MDD44-12N1B
IXYS
MDD44-14N1B
IXYS
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel