maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DSEI2X31-12B
Référence fabricant | DSEI2X31-12B |
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Numéro de pièce future | FT-DSEI2X31-12B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DSEI2X31-12B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 28A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.55V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 750µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSEI2X31-12B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSEI2X31-12B-FT |
CPT30050
Microsemi Corporation
CPT30045
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CPT30040
Microsemi Corporation
CPT20145
Microsemi Corporation
CPT30145
Microsemi Corporation
CPT12050
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APTDF400KK60G
Microsemi Corporation
APTDF400KK20G
Microsemi Corporation
APTDF400KK170G
Microsemi Corporation
APTDF400KK120G
Microsemi Corporation
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel