maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DSEI2X101-06P
Référence fabricant | DSEI2X101-06P |
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Numéro de pièce future | FT-DSEI2X101-06P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DSEI2X101-06P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 96A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ECO-PAC2 |
Package d'appareils du fournisseur | ECO-PAC2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSEI2X101-06P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSEI2X101-06P-FT |
CMPD6001A TR
Central Semiconductor Corp
CMPD2003C TR
Central Semiconductor Corp
CMPD2004C TR
Central Semiconductor Corp
CMPD2005SG TR
Central Semiconductor Corp
CMPD5001S TR
Central Semiconductor Corp
CMPSH-3S TR
Central Semiconductor Corp
CMPD2003S TR
Central Semiconductor Corp
CMPD7000E TR
Central Semiconductor Corp
CMPSH-3C TR
Central Semiconductor Corp
CMPD1001S TR
Central Semiconductor Corp
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel