maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / DS3070W-100#
Référence fabricant | DS3070W-100# |
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Numéro de pièce future | FT-DS3070W-100# |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS3070W-100# Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 256-BGA |
Package d'appareils du fournisseur | 256-BGA (27x27) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS3070W-100# Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS3070W-100#-FT |
DS24L65P+T
Maxim Integrated
DS2502P-E48+T&R
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DS28E07P+
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DS24L65P+
Maxim Integrated
DS28E07P+T
Maxim Integrated
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
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EP4CGX15BF14C7N
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XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel