maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / DS28E25Q+T
Référence fabricant | DS28E25Q+T |
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Numéro de pièce future | FT-DS28E25Q+T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DeepCover® |
DS28E25Q+T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 4Kb (4K x 1) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 2µs |
Interface mémoire | 1-Wire® |
Tension - Alimentation | 2.97V ~ 3.63V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TDFN-EP (3x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E25Q+T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS28E25Q+T-FT |
AT93C57W-10SC-2.7
Microchip Technology
AT93C57W-10SI
Microchip Technology
AT93C57W-10SI-1.8
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AT93C57W-10SI-2.5
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AT93C57W-10SI-2.7
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AT93C66-10SC
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AT93C66-10SC-2.5
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AT93C66-10SC-2.7
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AT93C66-10SI
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AT93C66-10SI-1.8
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XC2VP4-5FGG256I
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XC3S200-5FT256C
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XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
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A54SX16-1VQG100I
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5SGXEA5K2F35I3N
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5SGXEA7K2F35C2
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EPF10K100EBC356-2
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