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Référence fabricant | DS28E25G+T |
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Numéro de pièce future | FT-DS28E25G+T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DeepCover® |
DS28E25G+T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 4Kb (4K x 1) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 2µs |
Interface mémoire | 1-Wire® |
Tension - Alimentation | 2.97V ~ 3.63V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SFN |
Package d'appareils du fournisseur | 2-SFN (6x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E25G+T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS28E25G+T-FT |
DS28E05R+T
Maxim Integrated
DS2502R+00B
Maxim Integrated
DS2502R-00C+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+U
Maxim Integrated
DS28CN01U-W0D+1T-C
Maxim Integrated
DS2502S+
Maxim Integrated
DS2460S+
Maxim Integrated
DS2460S+T&R
Maxim Integrated
DS2502S+T&R
Maxim Integrated
DS2431X-S+
Maxim Integrated
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation