maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / DS28E10R+T
Référence fabricant | DS28E10R+T |
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Numéro de pièce future | FT-DS28E10R+T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS28E10R+T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - OTP |
Taille mémoire | 224b (28 x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | 1-Wire® |
Tension - Alimentation | 2.8V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E10R+T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS28E10R+T-FT |
AS7C1024B-15TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-15TJINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-20TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-20TJINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-10TJCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-10TJCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-12TJCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-12TJCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-15TJCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025B-15TJCNTR
Alliance Memory, Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel