maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / DS28E07+
Référence fabricant | DS28E07+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS28E07+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS28E07+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 1Kb (256 x 4) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 2µs |
Interface mémoire | 1-Wire® |
Tension - Alimentation | 3V ~ 5.25V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E07+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS28E07+-FT |
MT48H16M16LFBF-75:G TR
Micron Technology Inc.
MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT48H32M16LFBF-75:B TR
Micron Technology Inc.
MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT48H32M16LFCJ-75:A TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2BG-75 IT:D
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2BG-75:D
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2BG-7E:D
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2FG-75:D TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2FG-7E:D
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel