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Référence fabricant | DS1809-100+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1809-100+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Dallastat™ |
DS1809-100+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Cône | Linear |
Configuration | Potentiometer |
Nombre de circuits | 1 |
Nombre de robinets | 64 |
Résistance (Ohms) | 100k |
Interface | Pushbutton |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Tension - Alimentation | 5V |
Caractéristiques | - |
Tolérance | ±20% |
Coefficient de température (Typ) | 750 ppm/°C |
Résistance - Essuie-glace (Ohms) (Typ) | 400 (Max) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1809-100+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1809-100+-FT |
X9315WSI-2.7
Renesas Electronics America Inc.
X9315WSI-2.7T1
Renesas Electronics America Inc.
X9315WSIT1
Renesas Electronics America Inc.
X9315WSIT2
Renesas Electronics America Inc.
X9315WST1
Renesas Electronics America Inc.
X9315WST2
Renesas Electronics America Inc.
X9317TS8
Renesas Electronics America Inc.
X9317TS8-2.7
Renesas Electronics America Inc.
X9317TS8-2.7T1
Renesas Electronics America Inc.
X9317TS8-2.7T2
Renesas Electronics America Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
AFS600-FG256
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC4008E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780C2N
Intel