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Référence fabricant | DS1803Z-100+T&R |
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Numéro de pièce future | FT-DS1803Z-100+T&R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1803Z-100+T&R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Cône | Linear |
Configuration | Potentiometer |
Nombre de circuits | 2 |
Nombre de robinets | 256 |
Résistance (Ohms) | 100k |
Interface | I²C |
Type de mémoire | Volatile |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 5.5V |
Caractéristiques | Selectable Address |
Tolérance | ±20% |
Coefficient de température (Typ) | 750 ppm/°C |
Résistance - Essuie-glace (Ohms) (Typ) | 400 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1803Z-100+T&R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1803Z-100+T&R-FT |
MAX5482ETE+
Maxim Integrated
MAX5386LATE+T
Maxim Integrated
MAX5391LATE+T
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MAX5484ETE+
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MAX5408ETE+
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MAX5488ETE+
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MAX5386MATE+T
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LCMXO2-1200HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-1FGG484I
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M2GL010TS-1VFG400I
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LFE3-35EA-6LFTN256I
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A42MX09-2VQ100
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EP3C25F256C6N
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XC6VHX380T-2FFG1155I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256C
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EP3CLS70F780C8
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5CEBA2U15C7N
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