maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / DS17-12A
Référence fabricant | DS17-12A |
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Numéro de pièce future | FT-DS17-12A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS17-12A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.36V @ 55A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4mA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 180°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS17-12A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS17-12A-FT |
BYG21MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
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LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel