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Référence fabricant | DS1669S-10+T&R |
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Numéro de pièce future | FT-DS1669S-10+T&R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Dallastat™ |
DS1669S-10+T&R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Cône | Linear |
Configuration | Potentiometer |
Nombre de circuits | 1 |
Nombre de robinets | 64 |
Résistance (Ohms) | 10k |
Interface | Up/Down (UP, DN) |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Tension - Alimentation | ±4.5V ~ 8V |
Caractéristiques | - |
Tolérance | ±20% |
Coefficient de température (Typ) | 750 ppm/°C |
Résistance - Essuie-glace (Ohms) (Typ) | 400 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1669S-10+T&R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1669S-10+T&R-FT |
X9317ZV8-2.7T1
Renesas Electronics America Inc.
X9317ZV8I
Renesas Electronics America Inc.
X9317ZV8I-2.7
Renesas Electronics America Inc.
X9317ZV8I-2.7T1
Renesas Electronics America Inc.
X9317ZV8I-2.7T2
Renesas Electronics America Inc.
X9317ZV8IT1
Renesas Electronics America Inc.
X9317ZV8T1
Renesas Electronics America Inc.
X9C303V8
Renesas Electronics America Inc.
X9C303V8I
Renesas Electronics America Inc.
X9C303V8IT1
Renesas Electronics America Inc.
XC6SLX75-2FG484C
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
EP2S15F484C5N
Intel
EP3C80F484C6
Intel
EP20K160EFC484-3
Intel
10M16SAE144C8G
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
AGL125V2-FG144T
Microsemi Corporation
LFEC3E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E1F27E1SG
Intel