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Référence fabricant | DS1270W-150 |
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Numéro de pièce future | FT-DS1270W-150 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1270W-150 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 150ns |
Temps d'accès | 150ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1270W-150 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1270W-150-FT |
W25Q40EWUXIE TR
Winbond Electronics
SST25VF020B-80-4I-Q3AE-T
Microchip Technology
SST25WF020AT-40I/NP
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SST26WF040BT-104I/NP
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SST25WF080BT-40I/NP
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W25Q16FWUXIE TR
Winbond Electronics
W25Q20EWUXIE TR
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel