maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / DS1270W-100#
Référence fabricant | DS1270W-100# |
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Numéro de pièce future | FT-DS1270W-100# |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1270W-100# Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1270W-100# Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1270W-100#-FT |
AT93C66W-10SI-1.8
Microchip Technology
AT93C66W-10SI-2.5
Microchip Technology
AT93C66W-10SI-2.7
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AT93C86-10SC
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AT93C86-10SC-2.7
Microchip Technology
AT93C86-10SI-2.7
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AT93C86A-10SI-1.8
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AT93C86A-10SI-2.7
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ATAES132-SH-EQ-T
Microchip Technology
ATAES132-SH-ER
Microchip Technology
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel