maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / DS1270AB-70IND#
Référence fabricant | DS1270AB-70IND# |
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Numéro de pièce future | FT-DS1270AB-70IND# |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1270AB-70IND# Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 16Mb (2M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.75V ~ 5.25V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1270AB-70IND# Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1270AB-70IND#-FT |
ATAES132-SH-ER-T
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