maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / DS1265Y-100
Référence fabricant | DS1265Y-100 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DS1265Y-100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1265Y-100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1265Y-100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1265Y-100-FT |
SST26WF080BT-104I/NP
Microchip Technology
W25Q40EWUXIE TR
Winbond Electronics
SST25VF020B-80-4I-Q3AE-T
Microchip Technology
SST25WF020AT-40I/NP
Microchip Technology
SST25WF040BT-40I/NP
Microchip Technology
SST25PF040CT-40I/NP
Microchip Technology
SST26WF040BT-104I/NP
Microchip Technology
SST26WF080BAT-104I/NP
Microchip Technology
SST25WF080BT-40I/NP
Microchip Technology
W25Q16FWUXIE TR
Winbond Electronics
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel