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Référence fabricant | DS1265W-100IND+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1265W-100IND+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1265W-100IND+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1265W-100IND+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1265W-100IND+-FT |
AT93C66W-10SI-2.5
Microchip Technology
AT93C66W-10SI-2.7
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AT93C86-10SC
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AT93C86-10SC-2.7
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AT93C86A-10SI-1.8
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ATAES132-SH-EQ-T
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ATAES132-SH-ER-T
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A3PN020-QNG68
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LCMXO640E-4TN100C
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XC3S200AN-4FTG256C
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XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
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