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Référence fabricant | DS1230YP-100+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1230YP-100+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1230YP-100+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 34-PowerCap™ Module |
Package d'appareils du fournisseur | 34-PowerCap Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230YP-100+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1230YP-100+-FT |
LH28F016SCT-L95
Sharp Microelectronics
M29F080D70N1
STMicroelectronics
M29F080D90N1
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M50FW016N5TG TR
Micron Technology Inc.
SST49LF016C-33-4C-EIE
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SST49LF016C-33-4C-EIE-T
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AT21CS01-MSHMHU-T
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AT21CS11-MSH10-T
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SST26VF032B-104I/TD
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A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Xilinx Inc.
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