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Référence fabricant | DS1230WP-100+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1230WP-100+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1230WP-100+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 34-PowerCap™ Module |
Package d'appareils du fournisseur | 34-PowerCap Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230WP-100+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1230WP-100+-FT |
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08FAAWP-ET:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08FAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08AAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08MADWC:D TR
Micron Technology Inc.
AT49F008AT-12TC
Microchip Technology
SST49LF008A-33-4C-EIE-T
Microchip Technology
SST49LF008A-33-4C-EIE
Microchip Technology
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel