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Référence fabricant | DS1230ABP-70IND+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1230ABP-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1230ABP-70IND+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.75V ~ 5.25V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 34-PowerCap™ Module |
Package d'appareils du fournisseur | 34-PowerCap Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230ABP-70IND+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1230ABP-70IND+-FT |
LH28F008SAT-ZW
Sharp Microelectronics
LH28F008SCHT-TE
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LH28F008SCT-L85
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LH28F016SCT-L95
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M29F080D70N1
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M29F080D90N1
STMicroelectronics
M50FW016N5TG TR
Micron Technology Inc.
SST49LF016C-33-4C-EIE
Microchip Technology
SST49LF016C-33-4C-EIE-T
Microchip Technology
AT21CS01-MSHMHU-T
Microchip Technology
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation