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Référence fabricant | DS1225Y-200+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1225Y-200+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1225Y-200+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 200ns |
Temps d'accès | 200ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1225Y-200+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1225Y-200+-FT |
MR2A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0D08BMA45R
Everspin Technologies Inc.
MR0DL08BMA45
Everspin Technologies Inc.
MR0DL08BMA45R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel