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Référence fabricant | DS1220AD-100IND+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1220AD-100IND+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1220AD-100IND+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220AD-100IND+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1220AD-100IND+-FT |
24FC512-I/ST14
Microchip Technology
24AA512-I/ST14
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24LC512-I/ST14G
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24LC512T-I/ST14
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24FC512T-I/ST14
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24LC512-E/ST14
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24LC128T-I/ST14
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DS25LV02R+T&R
Maxim Integrated
XC2S30-5VQ100C
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XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
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EP4CE55F23C9L
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EP4CE15E22I8L
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EP3SE110F1152C4LN
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LFE3-150EA-7FN1156CTW
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LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation