maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / DS1220AB-100IND+
Référence fabricant | DS1220AB-100IND+ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DS1220AB-100IND+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1220AB-100IND+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 100ns |
Temps d'accès | 100ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.75V ~ 5.25V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220AB-100IND+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1220AB-100IND+-FT |
24LC512-I/ST14G
Microchip Technology
24LC512T-I/ST14
Microchip Technology
24AA512T-I/ST14
Microchip Technology
24FC512T-I/ST14
Microchip Technology
24LC512-E/ST14
Microchip Technology
24LC512T-E/ST14
Microchip Technology
24LC128T-I/ST14
Microchip Technology
DS25LV02R+T&R
Maxim Integrated
DS2502R+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+T
Maxim Integrated
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel