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Référence fabricant | DS1-12D |
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Numéro de pièce future | FT-DS1-12D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1-12D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2.3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 7A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 700µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1-12D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1-12D-FT |
D1050N16TXPSA1
Infineon Technologies
D121K18BXPSA1
Infineon Technologies
D121K20BXPSA1
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D121N12BXPSA1
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D121N16BXPSA1
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D121N18BXPSA1
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D121N20BXPSA1
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D126A45CXPSA1
Infineon Technologies
D126B45CXPSA1
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D1461S45TXPSA2
Infineon Technologies
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel