maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs magnétiques - Commutateurs (à semi-conduc / DRV5015A1QDBZT
Référence fabricant | DRV5015A1QDBZT |
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Numéro de pièce future | FT-DRV5015A1QDBZT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRV5015A1QDBZT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Une fonction | Latch |
La technologie | Hall Effect |
Polarisation | North Pole, South Pole |
Plage de détection | 2mT Trip, -2mT Release |
Condition de test | -40°C ~ 125°C |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Courant - Alimentation (Max) | 2.8mA |
Courant - Sortie (Max) | 30mA |
Le type de sortie | Digital |
Caractéristiques | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5015A1QDBZT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRV5015A1QDBZT-FT |
AD222-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD224-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD304-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD305-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD306-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD320-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD321-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD322-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD323-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD324-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
EP4CE55F23C7
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
10AX027E3F27E2LG
Intel
XC6VLX130T-L1FF484I
Xilinx Inc.
EP3SL150F780C4LN
Intel