maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs magnétiques - Commutateurs (à semi-conduc / DRV5015A1QDBZR
Référence fabricant | DRV5015A1QDBZR |
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Numéro de pièce future | FT-DRV5015A1QDBZR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRV5015A1QDBZR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Une fonction | Latch |
La technologie | Hall Effect |
Polarisation | North Pole, South Pole |
Plage de détection | 2mT Trip, -2mT Release |
Condition de test | -40°C ~ 125°C |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Courant - Alimentation (Max) | 2.8mA |
Courant - Sortie (Max) | 30mA |
Le type de sortie | Digital |
Caractéristiques | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5015A1QDBZR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRV5015A1QDBZR-FT |
AD406-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD420-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD421-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD422-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD423-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD424-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD504-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD505-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD506-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD520-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4SE530H40C4ES
Intel
5SGSMD5H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5FFG896I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel