maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs magnétiques - Commutateurs (à semi-conduc / DRV5013AGQDBZR
Référence fabricant | DRV5013AGQDBZR |
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Numéro de pièce future | FT-DRV5013AGQDBZR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRV5013AGQDBZR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Une fonction | Latch |
La technologie | Hall Effect |
Polarisation | South Pole |
Plage de détection | 9mT Trip, -9mT Release |
Condition de test | -40°C ~ 125°C |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 38V |
Courant - Alimentation (Max) | 2.7mA (Typ) |
Courant - Sortie (Max) | 30mA |
Le type de sortie | Open Drain |
Caractéristiques | Temperature Compensated |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013AGQDBZR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRV5013AGQDBZR-FT |
AD522-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD523-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD524-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD604-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD605-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD606-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD620-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD621-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD622-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD623-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
5SGSED6N2F45I2N
Intel
EP2SGX90EF1152C5
Intel
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation