maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs magnétiques - Commutateurs (à semi-conduc / DRV5011ADDBZR
Référence fabricant | DRV5011ADDBZR |
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Numéro de pièce future | FT-DRV5011ADDBZR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRV5011ADDBZR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Une fonction | Latch |
La technologie | Hall Effect |
Polarisation | North Pole, South Pole |
Plage de détection | ±0.6mT Trip, ±3.8mT Release |
Condition de test | -40°C ~ 150°C |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Courant - Alimentation (Max) | 3mA |
Courant - Sortie (Max) | 30mA |
Le type de sortie | Push-Pull |
Caractéristiques | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 135°C (TA) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5011ADDBZR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRV5011ADDBZR-FT |
AD206-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD220-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD221-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD222-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD224-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD304-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD305-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD306-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD320-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD321-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC2S15-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG676CES9937
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TQN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
5SGXMBBR1H43I2N
Intel
EP3C16M164C8N
Intel
AGL250V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35I3
Intel