maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs magnétiques - Commutateurs (à semi-conduc / DRV5011ADDBZR
Référence fabricant | DRV5011ADDBZR |
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Numéro de pièce future | FT-DRV5011ADDBZR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRV5011ADDBZR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Une fonction | Latch |
La technologie | Hall Effect |
Polarisation | North Pole, South Pole |
Plage de détection | ±0.6mT Trip, ±3.8mT Release |
Condition de test | -40°C ~ 150°C |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Courant - Alimentation (Max) | 3mA |
Courant - Sortie (Max) | 30mA |
Le type de sortie | Push-Pull |
Caractéristiques | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 135°C (TA) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5011ADDBZR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRV5011ADDBZR-FT |
AD206-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD220-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD221-02E
NVE Corp/Sensor Products
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NVE Corp/Sensor Products
AD224-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD304-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD305-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD306-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD320-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD321-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC4010E-1BG225C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FCSG325I
Microsemi Corporation
AGL030V2-UCG81I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45I3L
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EP4CGX15BF14I7N
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LCMXO1200E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP20K400CB652C7
Intel