maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DRC3143T0L
Référence fabricant | DRC3143T0L |
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Numéro de pièce future | FT-DRC3143T0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRC3143T0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | SSSMini3-F2-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRC3143T0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRC3143T0L-FT |
PDTD123EK,115
NXP USA Inc.
PDTD123TK,115
NXP USA Inc.
PDTD123YK,115
NXP USA Inc.
UNR211100L
Panasonic Electronic Components
UNR211200L
Panasonic Electronic Components
UNR211400L
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UNR211500L
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UNR211600L
Panasonic Electronic Components
UNR211700L
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UNR211800L
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AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF484I7G
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C2
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
EPF8452AQC160-3AC
Intel