maison / des produits / Interrupteurs / Interrupteur DIP / DRAR10HB
Référence fabricant | DRAR10HB |
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Numéro de pièce future | FT-DRAR10HB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DR |
DRAR10HB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Circuit | BCD |
Nombre de positions | 10 |
Note actuelle | 100mA |
Tension nominale | 5VDC |
Type d'actionneur | Rotary with Shaft |
Niveau d'actionneur | Raised |
Matériau de contact | Copper |
Finition du contact | Gold |
Hauteur au dessus du bord | 0.433" (11.00mm) |
Type de montage | Panel Mount, Right Angle |
Style de terminaison | PC Pin |
Pas | 0.100" (2.54mm), Full |
Lavable | Yes |
Caractéristiques | Sealed |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 75°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRAR10HB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRAR10HB-FT |
DA02
APEM Inc.
DA02T
APEM Inc.
DA03
APEM Inc.
DA03T
APEM Inc.
DA03TN
APEM Inc.
DA04KV
APEM Inc.
DA04TN
APEM Inc.
DA05
APEM Inc.
DA05T
APEM Inc.
DA05TN
APEM Inc.
XC3S700AN-4FG484C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-FG484
Microsemi Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05LV-3AQI
Microchip Technology
EP3C80U484I7N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation